上海集成电路设计研究中心关于2001年0.35微米CMOS工艺MPW流片计划的通知
发布日期:2001-09-18


    上海集成电路设计研究中心决定启动2001年0.35微米MPW流片,现开始接受申请。本次流片采用 TSMC 1P4M CMOS数模混合工艺。

项目申请受理和咨询时间:即日起至9月26日止;

数据接收的截止日期:11月20日;

tape out:12月5日。

预计收到芯片时间:2002年3月11日。

本次收费标准暂定产业类:5000元/MM2 (面积最低以5MM2计算);教育研究类的优惠按0.6微米MPW流片的标准处理。封装费用另算。

"中心"将为参加单位提供TSMC 0.35um单元库文件,包括:仿真库、综合库、创意电子Design Kit以及TSMC Process Design Kit。为保证数据的安全,所有数据将在"中心"进行处理。

通过以往受理MPW方面的经验,针对国内IC设计水平参差不齐的情况,此次,"中心"还将联合台湾创意电子对所有申请单位提供免费的工艺概况、单元库及Design Kit使用方面的培训。培训时间定于9月27~28日。相关内容请通过"中心"网站http://www.icc.sh.cn查询。

欲知详细情况,可联系:

上海集成电路设计研究中心
易炜: Tel: 021-53083026*312 E-mail: yiwei@icc.sh.cn
姜祁峰: Tel: 021-53083026*311 E-mail: peter@icc.sh.cn

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