东南大学射频与光电集成电路研究所(简称射光所)目前主要从事高频、高速模拟集成电路设计，于1998年与美国南加州大学MOSIS(MOS Implementation Service)工程实施组织签订了有关协议，加入其多项目晶圆（MPW）芯片制作计划。

　　1999年至2000年，射光所通过MOSIS提供的TSMC(台湾半导体制造公司) 0.35mm和0.25mm CMOS工艺实现了5批30多个芯片的制造，其中两次将清华大学设计的芯片加入射光所的多项目芯片。迄今为止，前几批芯片已相继通过直流和高频测试，获得了一系列令人振奋的结果。

　　东南大学与ICC（上海集成电路设计中心）合作，ICC也提供项目受理，下表列出了射光所2001年度通过MOSIS实施的流片计划，欢迎从事高频、高速电路设计的大学、科研单位和设计公司加入射光所的流片计划。

工艺	TSMC_0.35μm CMOS	TSMC_0.25μm CMOS
工艺规格	最小栅长0.4μm 4层金属，两层多晶硅	最小栅长0.24μm 5层金属，一层多晶硅
数据截止时间	2001年7月8日(第一次)	2001年11月28日
	2001年11月28日（第二次）
数据提交格式	GDSII或CIF
芯片最小面积	1平方毫米	2平方毫米
流片价格[1]	US$1200/mm2	US$1600/mm2
每次获样片数量(未封装)	25	25
提交数据与获得芯片间隔时间	50～60天
射光所提供参与者的技术支持	1. MOSIS提供的Hspice level 49工艺模型参数 2. MOSIS提供的版图掩模层、GDSII码、CIF名对应表 3. MOSIS提供的版图设计规则图文解释 4. Cadence平台上版图设计工艺文件，设计规则检查、版图提取、版图与电路图验证文档 5. Cadence平台上版图设计用单元库 6. 封装与测试的咨询服务
业务和技术联系人	谢婷婷: ttxie@iroi.seu.edu.cn	夏春晓: cxxia@iroi.seu.edu.cn
电话/传真	(025) 379 3303
通信地址	东南大学射频与光电集成电路研究所，南京市四牌楼2号，邮编210096
网站	http://iroi.seu.edu.cn ,http://www.icc.sh.cn
ICC处受理联系人	姜祁峰: peter@icc.sh.cn	易炜：yiwei@icc.sh.cn

注：

[1] 由射光所向美国MOSIS支付美金，参与者依国家外汇率与射光所结算人民币，流片价格不包括划片和封装费用，射光所可提供划片服务，费用另外结算。